SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
Ergebnisse: 1'322
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
435Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
830Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
3'984Auf Lager
2'000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
360Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 50 A 50 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 41 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
1'258Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET


Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
729Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
282Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 35 mOhms - 7 V, + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
Datenblatt
192Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
Datenblatt
150Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
453Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Microchip Technology SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
Datenblatt
44Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V 137 nC - 55 C + 175 C 303 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Datenblatt
5Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 600

AEC-Q100
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
Datenblatt
18Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HD-SOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 65.6 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R033M2HXKSA1
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
15Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R060M2HXKSA1
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
15Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 28 A 78 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 108 W Enhancement CoolSiC
SemiQ SiC-MOSFETs 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
Datenblatt
6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
Infineon Technologies AIMZA75R020M2HXKSA1
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
4Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R050M2HXKSA1
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 32 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies AIMZA75R040M2HXKSA1
Infineon Technologies SiC-MOSFETs Automotive SiC MOSFET, 750 V
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 40 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology
Datenblatt
1Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
onsemi SiC-MOSFETs 650V/40MOSICFETG3TO263
Datenblatt
738Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
428Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
855Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Nch 1200V 24A SiC TO-247N
Datenblatt
169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datenblatt
428Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC