SiC-MOSFETs

SiC-MOSFETs
SiC MOSFETs are available at Mouser Electronics from industry leading manufacturers. Mouser is an authorized distributor for many SiC MOSFET manufacturers including Infineon, Microchip, Navitas Semiconductor, onsemi, ROHM Semiconductor, STMicroelectronics, Wolfspeed & more. Please view our large selection of SiC MOSFETs below.
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L
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1’757Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
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1’629Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L
Datenblatt
1’916Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
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626Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM 900V
Datenblatt
1’202Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1
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1’269Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFETs 60MOHM
Datenblatt
261Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
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300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2’311Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 73 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS SiC-MOSFETs TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC
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1’867Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6.2 A 1 Ohms - 5 V, + 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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329Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 650V 70A N-CH SIC
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978Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
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506Auf Lager
450Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
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635Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 N-Channel 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1
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608Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 60 A 56 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Datenblatt
1’174Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
671Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
611Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Datenblatt
656Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Datenblatt
695Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Datenblatt
Produkt-Kommentare
467Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Datenblatt
929Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263
Datenblatt
453Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
Infineon Technologies SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Datenblatt
817Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1’000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 346 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement CoolSiC

onsemi SiC-MOSFETs SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
Datenblatt
1’182Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 110 mOhms - 15 V, + 25 V 4.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 178 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC