IGBT-Module

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 9
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual Common Emitter 1.7 kV 1.7 V 145 A 150 nA 524 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 7
Mult.: 1

IGBT Power Modules Full Bridge 1.7 kV 1.7 V 120 A 150 nA 382 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

IGBT Power Modules Three Phase 1.7 kV 1.7 V 120 A 150 nA 382 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-SBD-BL3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1
IGBT Power Module 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 80 A 150 nA 263 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-SBD-6HPD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 90 A 150 nA 333 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-SBD-6HPD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 650 V 1.85 V 100 A 150 nA 300 W - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-SBD-6HPD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 1.2 kV 2.05 V 180 A 150 nA 452 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-SBD-6HPD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase Bridge 650 V 1.85 V 100 A 200 nA 400 W 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm - 55 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6LI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 545 A 400 nA 1.807 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6LI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 805 A 600 nA 2.631 kW - 40 C + 175 C
Infineon Technologies IGBT-Module IGBT MODULES 1200V 600A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3
Mult.: 3

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 600 A 400 nA 3.35 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module IGBT 1700V 225A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.95 V 340 A 400 nA 1.5 kW Module - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module MEDIUM POWER ECONO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 450 A 400 nA 20 mW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 225 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 300 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 4500 V, 1800 A single switch IGBT module
Datenblatt
Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Single 4.5 kV 2.15 V 1.8 kA 400 nA 4 MW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 100A fourpack IGBT with input rectifier module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 50 A fourpack IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

IGBT Silicon Modules 4-Pack 1.2 kV 3.2 V 70 A 400 nA 355 W - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1200 V, 75 A fourpack IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 4500 V, 800 A chopper IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Silicon Modules Single 4.5 kV 2.5 V 800 A 400 nA 1.6 MW - 50 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW PrimePack2 - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module PP IHM I
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 3

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT-Module 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 3

Tray