IGBT-Module

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Produkt
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Kriechstrom Gate-Emitter
Pd - Verlustleistung
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics IGBT-Module ACEPACK 1 converter inverter brake 1200 V, 15 A trench gate field-stop IGBT M se
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

IGBT Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.95 V 15 A 500 nA 142.8 W ACEPACK1 - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics IGBT-Module ACEPACK 1 sixpack topology, 1200 V, 25 A, trench gate field-stop IGBT M series,
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 36
Mult.: 18

IGBT Modules 6-Pack 1.2 kV 1.95 V 25 A 500 nA 197 W ACEPACK1 - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics IGBT-Module ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, so
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 6-Pack 650 V 2.3 V 50 A 500 nA 208 W ACEPACK-1 - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics IGBT-Module ACEPACK 1 sixpack topology, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M series, so
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 36
Mult.: 18

IGBT Modules 6-Pack 650 V 1.95 V 50 A 500 nA 208 W ACEPACK-1-35 - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics IGBT-Module ACEPACK 2 converter inverter brake, 650 V, 50 A trench gate field-stop IGBT M se
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

IGBT Modules CIB 650 V 1.95 V 50 A 500 nA 208 W ACEPACK-2-35 - 40 C + 150 C Tray
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 15 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 156
Mult.: 156

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.5 V 15 A 66 W SDIP2B-26 - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 156
Mult.: 156

IGBT Modules 3-Phase Inverter 600 V 1.55 V 20 A 81 W SDIP2B-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 35 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 125 W SDIP2B-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules 3-Phase 600 V 1.91 V 12 A 50 W SDIP2B-26 - 40 C + 125 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 3 A, 600 V, IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 3 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A N2DIP-26 + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT-Module SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

SiC IGBT Modules Half Bridge 600 V 2.15 V 5 A 13.6 W N2DIP-26 - 40 C + 125 C Tube
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-D3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual Common Emitter 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Full Bridge 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules T-Type 1.7 kV 1.7 V 385 A 150 nA 1.034 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-D3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Single 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual Common Emitter 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

IGBT Power Modules Single 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-D4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

IGBT Power Modules Single 1.7 kV 1.7 V 750 A 200 nA 1.948 kW - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP1F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 11
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 120 A 150 nA 382 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology IGBT-Module PM-IGBT-TFS-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 9
Mult.: 1

IGBT Power Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 145 A 150 nA 524 W - 40 C + 175 C