MOSFET-Module

MOSFET-Module
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 1.2 kV 173 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 745 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 395 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 6
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 55 A 50 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 245 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-D3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount D3 N-Channel 700 V 689 A 3.2 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 1.882 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 700 V 689 A 3.2 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 1.882 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 700 V 353 A 6.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 988 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 700 V 241 A 9.5 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 690 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP1F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 8
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP1 N-Channel 700 V 124 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 365 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 700 V 349 A 6.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 966 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 700 V 124 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 365 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 700 V 238 A 9.5 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 674 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 700 V 124 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 365 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-D3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount D3 N-Channel 1.2 kV 733 A 3.5 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 2.97 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 733 A 3.5 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 2.97 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-D3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount D3 N-Channel 1.2 kV 495 A 5.2 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 2.031 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 251 A 10.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 171 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 728 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 395 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 495 A 5.2 mOhms - 10 V, + 23 V - 40 C + 175 C 2.031 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 7
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
SiC Press Fit N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 2.8 V - 55 C + 175 C 310 W
IXYS MOSFET-Module Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 82 A 49 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN100N50 Tube
IXYS MOSFET-Module 102 Amps 300V 0.033 Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 570 W IXFN102N30 Tube
IXYS MOSFET-Module GigaMOS HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 17 mOhms - 20 V, + 20 V 5 V - 55 C + 150 C 690 W IXFN140N25 Tube