MOSFET-Module

MOSFET-Module
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-5-LP8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

Si LP-8 5 mOhms
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-FREDFET-7-SP4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6P N-Channel 700 V 349 A 6.4 mOhms - 10 V, + 25 V 1.9 V - 40 C + 125 C 966 W Bulk
STMicroelectronics MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 132
Mult.: 132

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V to + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET-Module SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 947 A 3.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3.75 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 805 A 3.1 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3.215 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 7
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 150 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 560 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6L1
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 700 V 689 A 3.2 mOhms - 10 V, + 23 V 1.9 V - 40 C + 175 C 1.882 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL3
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount BL3 N-Channel 1.2 kV 150 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 560 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-BL2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6LI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 676 A 2.9 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 3 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 179 A 11.7 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 843 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6P
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module 1.7 kV 122 A 17.5 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 588 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 337 A 7.8 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.409 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 254 A 10.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.067 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP1F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP1F N-Channel 1.2 kV 173 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 745 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP1F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 7
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP1F N-Channel 1.2 kV 89 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 395 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SiC
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 333 A 7.8 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 873 W
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP6C
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP6 N-Channel 1.2 kV 251 A 10.4 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 1.042 kW
Microchip Technology MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SP3F
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3
Mult.: 1

SiC Screw Mount SP3 N-Channel 1.2 kV 173 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 40 C + 175 C 745 W