Neu JFETs
Der onsemi TF412 n-Kanal-JFET wurde für Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen konzipiert. Der TF412 von onsemi wird mit einer maximalen Spannung von 30 V und einem Strom von 10 mA, mit einem beeindruckend kleinen Eingangs-Gate-Source-Ableitstrom (IGSS) von -1,0 nA (VGS = -20 V, VDS = 0 V) und einer typischen Eingangskapazität (Ciss) von 4 pF (VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz). Dieser JFET von onsemi ist in einem ultra-kleinen SOT-883-Gehäuse (1,0 mm × 0,6 mm × 0,4 mm) untergebracht und unterstützt die Produktminiaturisierung. Er entspricht den halogenfreien Umweltstandards und ist damit eine ausgezeichnete Wahl für kompakte und umweltfreundliche Designs.
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onsemi TF412 n-Kanal-JFETFür Niederfrequenz-Universalverstärker und Impedanzwandler-Applikationen.05.03.2025
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onsemi Combo-FETsBauteile, die einen SiC-JFET mit niedrigem RDS(on) und einen Si-MOSFET in einem einzigen, kompakten Gehäuse kombinieren.26.11.2024 -
InterFET IFN201 und IFN202 40-V-n-Kanal-JFETs mit niedriger CissFeature low gate leakage, low input capacitance (Ciss), and high radiation tolerance.28.10.2024 -
InterFET IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger CissVerfügen über einen niedrigen Gate-Ableitstrom, eine niedrige Grenzspannung und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).28.10.2024 -
onsemi UJ4N Normalerweise eingeschalteter SiC-JFET-Transistor von 750 V, 4,3 mΩDieser JFET weist einen extrem niedrigen On-Widerstand (RDS(on)) in einem kompakten TOLL-Gehäuse auf.24.10.2024 -
onsemi UG4SC Kombi-FETs von 750 V, 8,4 mΩKombiniert einen SiC-JFET von 750 V und einen Si-MOSFET mit niedriger Spannung in einem einzelnen TO-247-4L-Gehäuse.07.10.2024 -
Linear Integrated Systems Low Noise Dual N-Channel JFETsWideband, high gain, monolithic dual, N-channel JFETs that are pin-for-pin replacements.21.09.2023 -
Linear Integrated Systems LS844 Monolithic Dual N-Channel JFET AmplifiersPin-for-pin replacements for brands like Fairchild, Motorola, National, and Vishay/Siliconix.13.05.2022