NAND-Flash

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Serie
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Organisation
Timing-Typ
Datenbus-Weite
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
GigaDevice GD5F4GM8UEYIGR
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
SMD/SMT WSON-8 Reel
GigaDevice GD9AS2G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

Tray
GigaDevice GD9AS2G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9AS4G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

Tray
GigaDevice GD9AS4G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9AU2G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

Tray
GigaDevice GD9AU2G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9AU4G8F3ALGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

Tray
GigaDevice GD9AU4G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

SMD/SMT FBGA-63 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice GD9FS4G8F3AMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice GD9FS4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel Asynchronous 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU4G8F4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU4G8F4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 4 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU8G8E4DLGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’100
Mult.: 2’100

SMD/SMT FBGA-63 8 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FU8G8E4DMGI
GigaDevice NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 960
Mult.: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit Parallel Asynchronous 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Tray
Innodisk DECFA-16GD09BW1DC
Innodisk NAND-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Innodisk DECFA-C12D08BCBQC
Innodisk NAND-Flash Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Kioxia America NAND-Flash SEE PRODUCT COMMENTS BELOW
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen

SMD/SMT FBGA-67 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray

Kioxia America NAND-Flash SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen

SMD/SMT VFBGA-67 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Kioxia America NAND-Flash SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen

SMD/SMT VFBGA-67 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray