HiPerFET MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
Datenblatt
3’347Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
1’540Auf Lager
75Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 10 Amps 800V 1.1 Rds
Datenblatt
8’959Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
Datenblatt
805Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET
Datenblatt
1’148Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
Datenblatt
3’528Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 230A 200V
Datenblatt
903Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
Datenblatt
586Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 360Amps 55V
Datenblatt
548Auf Lager
530Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 55 V 360 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 330 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
Datenblatt
66Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 44 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 264 nC - 55 C + 150 C 1.56 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
Datenblatt
194Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
186Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 40 V 600 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 590 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
Datenblatt
467Auf Lager
300erwartet ab 18.05.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 100 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 240 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
Datenblatt
134Auf Lager
90Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 400 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 420 nC - 55 C + 175 C 1 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Datenblatt
280Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 94 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 228 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 16A
Datenblatt
2’989Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
Datenblatt
403Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 75 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Rds
Datenblatt
2’908Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 110 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
Datenblatt
235Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds
Datenblatt
295Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 240 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 7 Amps 1000V
Datenblatt
745Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 300 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Datenblatt
515Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 155 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 16 Amps 1200V 1 Rds
Datenblatt
324Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
Datenblatt
257Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube