LSK189 Serie JFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Abschaltungsspannung Gate-Source
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Datenblatt
102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Datenblatt
206Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
: 3'000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel