CSD22205L Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L
Datenblatt
3’010Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments MOSFETs -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT
Datenblatt
3’468Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel 1 Channel 8 V 7.4 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 1.05 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel