CSD17308Q3 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1730 A 595-CSD17308Q3T
Datenblatt
327Auf Lager
5’000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 400
: 2’500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 50 A 10.3 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 3.9 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17308Q3
Datenblatt
705Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 250
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 11.8 mOhms - 10 V, - 8 V, 8 V, 10 V 1.3 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel