CSD13306W Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT
Datenblatt
962Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3'000

Si SMD/SMT DSBGA-6 N-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 10.2 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 11.2 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W
Datenblatt
492Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-6 N-Channel 1 Channel 12 V 3.5 A 10.2 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 11.2 nC - 55 C + 150 C 1.9 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel