2047 MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs P-Ch ENH Mode FET -20V -6
Datenblatt
25’238Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

Si SMD/SMT U-WLB1010-4 P-Channel 1 Channel 20 V 4.1 A 40 mOhms - 6 V, 6 V 800 mV 2.3 nC - 55 C + 150 C 1.66 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor MOSFETs 4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction T/L
Datenblatt
474Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4.7 A 990 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 9.7 nC - 55 C + 150 C 22.5 W Enhancement Tube