MOSFET HF-Transistoren

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Transistorpolung
Technologie
Id - Drain-Gleichstrom
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Betriebsfrequenz
Verstärkung
Ausgangsleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF984PS/SOT1121/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 180 mOhms 30 MHz to 860 MHz 22.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT SOT1121B-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF989ES/SOT539/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms, 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 20 dB 1 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF989S/SOT1275/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C SMD/SMT SOT539B-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLF989/SOT1275/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Dual N-Channel LDMOS 50 V 90 mOhms 400 MHz to 860 MHz 22.5 dB 900 W + 225 C Screw Mount SOT539A-5 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 26 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 19 dB 600 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM10D2327-40AB/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

LDMOS 65 V 2.5 Hz to 2.7 Hz 31.1 dB 45.7 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM7G1822S-40PBG/SOT1212/REELD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 33 dB 45.1 W + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM8D1822S-50PBG/SOT1212/REELD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 2.17 GHz 28.5 dB 48.4 dBm + 150 C SMD/SMT SOT1212-3-16 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D0708-05AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 728 MHz to 821 MHz 17.8 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D0910-05AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 859 MHz to 960 MHz 21 dB 5 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D1819-08AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 1.805 GHz to 1.88 GHz 30 dB 8 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D1822-30B/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 31.3 dB 45.9 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D1920-08AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 1.88 GHz to 2.025 GHz 26.8 dB 39.6 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D2022-08AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 2.11 GHz to 2.17 GHz 29 dB 39.2 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D2324-08AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 29 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D2327-26B/SOT1462/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.3 dB 44.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
: 3'000

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D2527-09AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 2.496 GHz to 2.7 GHz 28 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D3336-12AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 35.5 dB 40.9 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D3336-14AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.65 GHz 31 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D3438-16AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 29.5 dB 42 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D3538-12AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 3.4 GHz to 3.8 GHz 36 dB 40 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
: 3'000

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon MOSFET HF-Transistoren BLM9D3740-16AM/LGA-7x7/REELDP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 13 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4 GHz 29 dB 41.5 dBm + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel