QSD123 Serie Fototransistoren

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Menge RoHS ECAD Model Verpackung/Gehäuse
Maximum-Wellenlänge
Maximaler Dauerkollektorstrom
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Dunkelstrom
Anstiegszeit
Abfallzeit
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
onsemi QSD123A4R0
onsemi Fototransistoren Phototrans IR Chip NPN Transistor 880nm
Datenblatt
2'927Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'200

T-1 3/4 880 nm 16 mA 5 V 400 mV 100 nA 7 us 7 us 100 mW - 40 C + 100 C QSD123
onsemi Fototransistoren 4mA PHOTO TRANS
Datenblatt
560Auf Lager
2'500Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 500

T-1 3/4 880 nm 30 V 100 nA 7 us 7 us 100 mW - 40 C + 100 C QSD123