Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

Die GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs von Nexperia sind allgemein verwendbare, normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Der GANE7R0-100CBA ist ein 100 V 7,0 mΩ Galliumnitrid (GaN)-FET in einem WLCSP-Gehäuse (Wafer Level Chip-Scale Package). Das GANE2R7-100CBA ist ein 100 V, 2,7 mΩ Gallium-Nitrid (GaN) FET in einem WLCSP-Gehäuse (Wafer Level Chip-Scale Package). Das GANE1R8-100QBA ist ein 100 V, 1,8 mΩ Gallium-Nitrid (GaN) FET in einem VQFN-Gehäuse (Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead).

Die GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs von Nexperia eignen sich hervorragend für Leistungsumwandlung mit hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad, Audioverstärker der Klasse D, schnelles Aufladen von Batterien und AC-DC- Wandler.

Merkmale

  • Anreicherungsmodus - normalerweise ausgeschalteter Netzschalter
  • Sehr hohe Frequenz - Schaltfähigkeit
  • Keine Body-Diode
  • Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
  • Geeignet für Standardapplikationen
  • RoHS, bleifrei, REACH-konform
  • Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
  • Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 2,5 mm x 1,5 mm (GANE7R0-100CBA)
  • Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 4,45 mm x 2,30 mm (GANE2R7-100CBA)
  • Sehr dünnes Quad Flat No-Lead-Gehäuse (VQFN) 4.0 mm x 6.0 mm (GANE1R8-100QBA)

Applikationen

  • Hochleistungsdichte und hoher Wirkungsgrad, Leistungsumwandlung
  • AC-DC-Wandler (Sekundärstufe)
  • Hochfrequenz-DC/DC-Wandler in 48 V Systemen
  • 400 V zu 48 V LLC Wandler, Sekundärseite (Gleichrichtung) (GANE7R0-100CBA und GANE2R7-100CBA)
  • Audioverstärker der Klasse D
  • Schnellladung für Batterien, Mobiltelefone, Laptops, Tablets und USB Type-C® -Ladegeräte
  • Daten- und Telekommunikation (AC-zu-DC und DC-zu-DC)
  • Motorantriebe
  • LiDAR (nicht für den Einsatz im Fahrzeugbereich geeignet)

GANE7R0-100CBA-Pinbelegung

Schaltungsanordnung - Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

GANE2R7-100CBA-Pinbelegung

Schaltungsanordnung - Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

GANE1R8-100QBA-Pinbelegung

Schaltungsanordnung - Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-25 | Aktualisiert: 2025-07-03