Der GANE7R0-100CBA ist ein 100 V 7,0 mΩ Galliumnitrid (GaN)-FET in einem WLCSP-Gehäuse (Wafer Level Chip-Scale Package). Das GANE2R7-100CBA ist ein 100 V, 2,7 mΩ Gallium-Nitrid (GaN) FET in einem WLCSP-Gehäuse (Wafer Level Chip-Scale Package). Das GANE1R8-100QBA ist ein 100 V, 1,8 mΩ Gallium-Nitrid (GaN) FET in einem VQFN-Gehäuse (Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead).
Die GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs von Nexperia eignen sich hervorragend für Leistungsumwandlung mit hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad, Audioverstärker der Klasse D, schnelles Aufladen von Batterien und AC-DC- Wandler.
Merkmale
- Anreicherungsmodus - normalerweise ausgeschalteter Netzschalter
- Sehr hohe Frequenz - Schaltfähigkeit
- Keine Body-Diode
- Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung
- Geeignet für Standardapplikationen
- RoHS, bleifrei, REACH-konform
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 2,5 mm x 1,5 mm (GANE7R0-100CBA)
- Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP) 4,45 mm x 2,30 mm (GANE2R7-100CBA)
- Sehr dünnes Quad Flat No-Lead-Gehäuse (VQFN) 4.0 mm x 6.0 mm (GANE1R8-100QBA)
Applikationen
- Hochleistungsdichte und hoher Wirkungsgrad, Leistungsumwandlung
- AC-DC-Wandler (Sekundärstufe)
- Hochfrequenz-DC/DC-Wandler in 48 V Systemen
- 400 V zu 48 V LLC Wandler, Sekundärseite (Gleichrichtung) (GANE7R0-100CBA und GANE2R7-100CBA)
- Audioverstärker der Klasse D
- Schnellladung für Batterien, Mobiltelefone, Laptops, Tablets und USB Type-C® -Ladegeräte
- Daten- und Telekommunikation (AC-zu-DC und DC-zu-DC)
- Motorantriebe
- LiDAR (nicht für den Einsatz im Fahrzeugbereich geeignet)
Datenblätter
GANE7R0-100CBA-Pinbelegung
GANE2R7-100CBA-Pinbelegung
GANE1R8-100QBA-Pinbelegung
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-25
| Aktualisiert: 2025-07-03

