Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Die GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMT von Nexperia sind 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Der GANB1R2-040QBA ist in einem VQFN-Gehäuse (Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead) erhältlich. Der GANB1R2-040QBA ist ein normalerweise ausgeschaltetes E-Mode-Bauelement mit überragendem Betriebsverhalten und sehr geringem Einschaltwiderstand.
Der Nexperia GANB012-040CBA ist in einem WLCSP-Paket (Wafer-Level Chip Scale) erhältlich. Das GANB012-040CBA ist ein normalerweise ausgeschaltetes E-Mode-Bauelement, das eine überragendes Betriebsverhalten bietet.
Merkmale
- Anreicherungsmodus - normalerweise ausgeschalteter Netzschalter
- Bidirektionales Bauelement
- Fähigkeit zur extrem hohen Schaltgeschwindigkeit
- Sehr niedriger Einschaltwiderstand
- RoHS, bleifrei, REACH-konform
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) 1,2 mm x 1,7 mm (GANB012-040CBA)
- Very-Thin-Profile Quad Flat No-Lead-Gehäuse (VQFN) 4,0 mm x 6,0 mm (GANB1R2-040QBA)
Applikationen
- High-Side-Lastschalter
- OVP-Schutz im Smartphone-USB-Anschluss
- Leistungsschalter
- Standby-Stromversorgung
Datenblätter
GANB012-040CBA-Pinbelegung
GANB1R2-040QBA-Pinbelegung
Veröffentlichungsdatum: 2025-06-25
| Aktualisiert: 2025-07-14