ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen
Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor sind hochzuverlässige TVS-Dioden. Diese Spannungsschutzvorrichtungen bieten eine Spitzenimpulsleistung von 600 W und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen umfassen eine epitaktische planare Siliziumstruktur. Diese TVS-Dioden kommen in einem kleinen Leistungsformtyp mit einem DO-214AA (SMB) Gehäuse. Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind ideal für Überspannungsschutz-Applikationen.Merkmale
- Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise
- Hochzuverlässig
- 600 W Pulsspitzenleistung
- Kleine Formausführung
Applikationen
- Überspannungsschutz
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-24
| Aktualisiert: 2025-06-17
