ROHM Semiconductor VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen

Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor sind hochzuverlässige TVS-Dioden. Diese Spannungsschutzvorrichtungen bieten eine Spitzenimpulsleistung von 600 W und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen umfassen eine epitaktische planare Siliziumstruktur. Diese TVS-Dioden kommen in einem kleinen Leistungsformtyp mit einem DO-214AA (SMB) Gehäuse. Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind ideal für Überspannungsschutz-Applikationen.

Merkmale

  • Silizium-Epitaxial-Planar-Bauweise
  • Hochzuverlässig
  • 600 W Pulsspitzenleistung
  • Kleine Formausführung

Applikationen

  • Überspannungsschutz
Veröffentlichungsdatum: 2024-05-24 | Aktualisiert: 2025-06-17