onsemi NXH80B120MNQ0 Vollständiges SiC-MOSFET-Modul

Das NXH80B120MNQ0 vollständige SiC-MOSFET-Modul von onsemi enthält eine Dual-Aufwärtsstufe und SiC-MOSFET-Dioden, die geringere Leitungs- und Schaltverluste bieten. Dieses SiC-MOSFET-Modul ermöglicht Designern einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende Zuverlässigkeit. Das NXH80B120MNQ0 Modul verfügt über ein niedriges induktives Layout, lötbare Pins, einen Thermistor, eine niedrige Sperrverzögerung und schnellschaltende SiC-Dioden. Dieses SiC-MOSFET-Modul bietet einen Lagertemperaturbereich von -40 °C bis +125 °C und Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis (T _JMAX -25°C) des Moduls. Das NXH80B120MNQ0 Modul wird idealerweise in Solarwechselrichtern und unterbrechungsfreien Stromversorgungen eingesetzt.