Nexperia NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs
Die NX6008NBK N-Kanal-Trench-MOSFETs von Nexperia sind für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und zeichnen sich durch eine niedrige Schwellenspannung aus. Diese MOSFETs arbeiten mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V (VDS), einer maximalen Gate-Source-Spannung von 8 V (VGS) und einem Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C (Tj). Die NX6008NBK-MOSFETs werden in Applikationen wie Relaistreibern, Hochgeschwindigkeitsleitungstreibern, Low-Side-Lastschaltern und Schaltkreisen eingesetzt.
Merkmale
- Niedrige Schwellenspannung
- Hohe Schaltgeschwindigkeit
- Trench-MOSFET-Technologie
- SOT323-, SOT363- und SOT23-SMD-Gehäuse
- Schutz gegen elektrostatische Entladungen (ESD) >2 kV HBM
Technische Daten
- 60 V Drain-Source-Spannung (VDS)
- Maximale Gate-Source-Spannung (VGS): 8 V
- Sperrschichttemperaturbereich (Tj): -55 °C bis +150 °C
- Lagertemperaturbereich: -65 °C bis +150 °C (Tstg)
Applikationen
- Relais-Treiber
- Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
- Low-Side-Lastschalter
- Schaltkreise
Kennlinie
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| Teilnummer | Datenblatt | Verpackung/Gehäuse | Anzahl der Kanäle | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung | Pd - Verlustleistung | Konfiguration | Abfallzeit |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NX6008NBKSX |  |
SOT-363-6 | 2 Channel | 220 mA | 2.7 Ohms | 460 pC | 286 mW | Dual | 4 ns |
| NX6008NBKR | |
SOT-23-3 | 1 Channel | 270 mA | 2.8 Ohms | 500 pC | 330 mW | Single | 3 ns |
| NX6008NBKWX | |
SOT-323-3 | 1 Channel | 250 mA | 2.8 Ohms | 500 pC | 300 mW | Single | 3 ns |
Veröffentlichungsdatum: 2022-01-20
| Aktualisiert: 2022-03-11