Nexperia NID1100 Idealdiode mit niedrigem Vorwärtsspannungsabfall
Die Nexperia NID1100 Low Forward-Voltage Drop Ideal Diode ist für Applikationen konzipiert, die ein effizientes Leistungsmanagement erfordern. Die Nexperia NID1100 arbeitet in einem Eingangsspannungsbereich von 1,5 V bis 5,5 V und unterstützt einen Dauerstrom von bis zu 1 A. Diese Diode verfügt über eine Vorwärts- und Rückwärtsspannungssperre und ist damit ein hervorragender Ersatz für herkömmliche Schottky-Dioden in Niederspannungsanlagen. Der NID1100 bietet einen typischen Vorwärtsspannungsabfall von nur 120 mV bei 3,6 V Eingang und 1 A Laststrom, was die Verlustleistung erheblich reduziert. Die Diode verfügt über robuste Schutzmechanismen wie eine Begrenzung des Kurzschlusstroms und eine Abschaltung bei Übertemperatur. Darüber hinaus ist die NID1100 in einem kompakten SOT753 (SC-74A)-Gehäuse erhältlich und arbeitet effizient in einem weiten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.
Merkmale
- 1,5 V bis 5,5 V Eingangsspannungsbereich
- Niedrige typische Durchlassspannung (VFWD) von 120 mV am Eingang 3,6 V und Laststrom 1 A
- Sperrspannung wird immer blockiert, geringer Ableitstrom bei Sperrspannung
- Sperrung der Durchlassspannung bei Deaktivierung
- Niedriger Ruhestrom
- Verbessertes Einschwingverhalten der Last
- Kontrollierte Anstiegszeit beim Start
- Überhitzungsschutz
- Kurzschlussschutz
- Unterstützte Konfigurationen mit OR-Gattern
- Zwei oder mehr NID1100 Bauteile
- NID1100s und herkömmliche Schottky-Dioden
- NID1100 und einem externen PMOS
- SOT753 (SC-74A) 5-poliges oberflächenmontiertes Kunststoffgehäuse
- Sperrschichttemperaturbereich (TJ) von -40 °C bis +125 °C
Applikationen
- Internet der Dinge (IoT) Systeme
- Gas und intelligente Zähler
- CO-Detektoren
- Batterie-Backup-Systeme
- USB-betriebene Geräte
Technische Daten
- 0 V bis 5,5 V Ausgangsspannungsbereich
- 50 mA bis 1 A maximaler Dauerausgangsstrombereich
- 1,5 A Maximaler gepulster Schaltstrom
- 0 V zu 5,5 V EN-Pin Spannungsbereich
- 0 mA bis 0,5 mA Strombereich in den ST-Pin
- 0,3 pF bis 100 pF Gesamtkapazitätsbereich an OUT, einschließlich Derating und Toleranzen
- Eingang-
- 725 nA maximaler Eingangsruhestrom, 562 nA typisch
- 250 nA maximaler Eingangsabschaltstrom, 108 nA typisch
- 70 mV bis 180 mV maximaler FET-Durchlassspannungsabfallbereich
- Status-Pin
- 0,3 V Low-Schwellenwert bei maximalem Status
- ±75 nA Status-Pin-Leckstrom
- 2,8 A typischer Kurzschlussschutz über Strombegrenzung
- Typische Übertemperaturabschaltung
- +175 °C Abschaltung
- +35 °C Hysterese
- Wärmewiderstand gemäß JEDEC51-5 und -7
- 206°C/W Sperrschicht zu Umgebung
- 111°C/W Sperrschicht zu Spitze Charakterisierungsparameter
- ESD-Bewertungen
- ±2.000 V Human Body Model (HBM) nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 Klasse 2
- ±500 V Charged-Device Model (CDM) gemäß ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 Klasse C2a
Vereinfachtes Anwendungsdiagramm
Blockdiagramm
Development Tool
Nexperia NEVB-NID1100UL Evaluierungsboard
Erleichtert das Testen und Bewerten idealer NID1100-Dioden.
Veröffentlichungsdatum: 2025-04-02
| Aktualisiert: 2026-02-16