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IXYS Integrated Circuits MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse

Der IXYS MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse ist ein n-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET mit einer Sperrspannung von bis zu 200 V und einem niedrigen RDS(on) von 1,99 mΩ. Das Bauteil bietet geringe Leitungsverluste und hat eine reduzierte Wärme-Dissipation. Das isolierte leistungsstarke Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den thermischen Widerstand Rth(js) insgesamt und die Strombelastbarkeit. Der MMIX1T500N20X4 von IXYS hat eine Isolationsspannung von 2.500 VAC (RMS) für 1 Minute und eine niedrige Gate-Ladung (Qg) von 535 nC.

Merkmale

  • Sperrspannung von bis zu 200 V mit niedrigem RDS(on) von 1,99 mΩ
  • Niedrige Gate-Ladung (Qg) von 535 nC
  • Hohe Strombelastbarkeit ID = 480A
  • Kompakte Bauweise mit leistungsstarker Dichte
  • Geringe Leitungsverluste und reduzierte Wärme-Dissipation
  • Niedriger Gate-Drive-Strombedarf
  • Reduzierter Parallelschaltaufwand und geringere Stückzahl
  • Kosteneffiziente Lösung mit einfacher Bestückung
  • Leistungsstarkes isoliertes Gehäuse auf Keramikbasis verbessert den thermischen Widerstand Rth(js) insgesamt und die Strombelastbarkeit
  • Isolationsspannung von 2.500 VAC (RMS), 1 Minute
  • Geringe Kapazität zwischen Drain und Anschluss
  • Fortschrittliches, von oben gekühltes Gehäuse vereinfacht das Wärmemanagement
  • RoHS-konform
  • Epoxidharz erfüllt die Anforderungen gemäß UL 94V-0

Applikationen

  • Gleichstromlastschalter
  • Batterie-Energiespeichersysteme (BESS)
  • Industrie- und Prozesssentromversorgungen
  • Industrie-Ladeinfrastrukturen
  • Drohnen und VTOL

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung (VDSS) (Tvj = +25°C bis +175°C) ist 200 V
  • Ununterbrochene Gate-Source-Spannung (VGSS)
  • Vorübergehende Gate-Source-Spannung VGSM) ist ±30 V
  • Drain-Source-On-Widerstand (RDS(on)) (VGS = 10V, ID = 100A) ist 1,99 mΩ
  • Drainstrom (IDM) ist 1.300 A
  • Verlustleistung (PD) (TC = +25 °C) ist 1.070 W
  • Drain-Source-Ableitstrom (IDSS)
    • VDS = VDSS, VGS = 0V: 25 µA
    • VDS = VDSS, VGS = 0V, Tvj = +105°C: 3mA

Pinbelegungsdiagramm

Schaltplan - IXYS Integrated Circuits MMIX1T500N20X4 Leistungs-MOSFET von 200 V der X4-Klasse
Veröffentlichungsdatum: 2025-09-24 | Aktualisiert: 2025-10-08