ISSI SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung

ISSI SRAM 128Mb, HyperRAM, 16Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS, Automotive Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

128 Mb 35 ns 200 MHz 3.6 V 2.7 V - 40 C + 105 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

TQFP-100