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STMicroelectronics SiC-MOSFETs

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Ergebnisse: 68

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Hersteller = STMicroelectronics

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Anzahl der Kanäle

Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung

Id - Drain-Gleichstrom

Rds On - Drain-Source-Widerstand

Vgs - Gate-Source-Spannung

Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

Qg - Gate-Ladung

Minimale Betriebstemperatur

Maximale Betriebstemperatur

Pd - Verlustleistung

Kanalmodus

Qualifikation

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.15
638Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040W65G3-4AG

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511-SCT040W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

638Auf Lager

CHF 10.15

CHF 7.41

CHF 6.02

CHF 6.01

CHF 5.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.24
303Auf Lager

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SCT070W120G3-4AG

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511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

303Auf Lager

Weitere Infos Verfügbar

CHF 10.24

CHF 8.43

CHF 6.47

CHF 5.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.28
136Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT040HU65G3AG

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511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

136Auf Lager

Cut-Tape

CHF 10.28

CHF 7.21

CHF 6.26

Reel

CHF 5.85

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 11.29
47Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT055W65G3-4AG

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511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

47Auf Lager

CHF 11.29

CHF 9.05

CHF 7.91

CHF 5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 9.86
85Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT070H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

85Auf Lager

Cut-Tape

CHF 9.86

CHF 6.90

CHF 5.93

Reel

CHF 5.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: CHF 7.20
564Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT1000N170

Mouser-Teilenr.
511-SCT1000N170

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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Datenblatt

564Auf Lager

CHF 7.20

CHF 4.93

CHF 3.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: CHF 12.88
470Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT20N120AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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Datenblatt

470Auf Lager

CHF 12.88

CHF 9.50

CHF 6.59

Anzeigen

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: CHF 14.22
90Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCTWA40N12G24AG

Mouser-Teilenr.
511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

90Auf Lager

CHF 14.22

CHF 10.11

CHF 8.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.80
3Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCT070HU120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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Datenblatt

3Auf Lager

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

CHF 10.80

CHF 7.45

CHF 6.70

Reel

CHF 6.40

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: CHF 23.59
101Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCTWA90N65G2V-4

Mouser-Teilenr.
511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

101Auf Lager

CHF 23.59

CHF 17.83

CHF 17.07

CHF 16.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: CHF 27.94
281Auf Lager
NRND

Herst. Teilenr.
SCTW100N65G2AG

Mouser-Teilenr.
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

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Datenblatt

281Auf Lager

CHF 27.94

CHF 20.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
1: CHF 26.14
28Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCTWA70N120G2V-4

Mouser-Teilenr.
511-SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

28Auf Lager

CHF 26.14

CHF 19.17

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HIP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 13.90
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT025H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT025H120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

CHF 13.90

CHF 9.86

CHF 9.21

Reel

CHF 8.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: CHF 19.51

Herst. Teilenr.
SCT015W120G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

CHF 19.51

CHF 13.25

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.96
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT027HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT027HU65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

CHF 10.96

CHF 8.18

CHF 7.07

Reel

CHF 6.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.28

Herst. Teilenr.
SCT040H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

CHF 10.28

CHF 7.21

CHF 6.26

Reel

CHF 5.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 10.21

Herst. Teilenr.
SCT055HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Mehr erfahren

Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

CHF 10.21

CHF 7.15

CHF 6.20

Reel

CHF 5.78

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: CHF 7.45

Herst. Teilenr.
SCT10N120AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

Mehr erfahren

Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

CHF 7.45

CHF 4.38

CHF 3.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: CHF 13.60
100Auf Bestellung
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT025H120G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT025H120G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

100Auf Bestellung

Cut-Tape

CHF 13.60

CHF 10.52

CHF 9.11

CHF 9.10

Reel

CHF 8.04

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: CHF 9.32
100Auf Bestellung
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT040W120G3-4

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W120G3-4

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Mehr erfahren

Datenblatt

100Auf Bestellung

CHF 9.32

CHF 5.65

CHF 5.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 61.10
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCTHC250N120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCTHC250N120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

CHF 61.10

CHF 49.38

CHF 46.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 nC

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1: CHF 18.82
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT011H75G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT011H75G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Cut-Tape

CHF 18.82

CHF 16.29

Reel

CHF 13.85

Min.: 1
Mult.: 1

: 1’000

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
600: CHF 11.59
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT014HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT014HU65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

Reel

CHF 11.59

Min.: 600
Mult.: 600

: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

SCT014TO65G3
STMicroelectronics
1’800: CHF 8.52
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT014TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT014TO65G3

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

Reel

CHF 8.52

Anzeigen

Min.: 1’800
Mult.: 1’800

: 1’800

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1’000: CHF 7.16
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Mehr erfahren

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

CHF 7.16

Min.: 1’000
Mult.: 1’000

: 1’000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

STMicroelectronics SiC-MOSFETs

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6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W