BIMOSFET MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs TO263 1.7KV 16A N-CH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.7 kV 16 A - 20 V, 20 V 2.5 V 65 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement BIMOSFET Tube
IXYS MOSFETs
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFETs
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 25
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 BIMOSFET Tube