Power MOS 7 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

Microchip Technology MOSFETs MOSFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-247
Datenblatt
520Auf Lager
74Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Power MOS 7 Tube
Microchip Technology MOSFETs MOSFET MOS7 800 V 20 Ohm TO-247 MAX
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 30
Mult.: 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 800 V 38 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 195 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement Power MOS 7 Tube