4402 Transistoren

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Vishay / Siliconix MOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
Datenblatt
12'383Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Datenblatt
2'834Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3'000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 5'000
Mult.: 5'000
: 5'000

MOSFETs Si
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5'000
Mult.: 5'000
: 5'000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia MOSFETs PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
Datenblatt
2'427Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Infineon Technologies HF-Bipolartransistoren RF BIP TRANSISTOR
Datenblatt
96'594Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3'000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 42 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 42 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 42 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
Central Semiconductor Bipolartransistoren - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Datenblatt
5'000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel