OptiMOS-T2 Serie MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
430Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
1'516Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 33 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
1'352Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2'500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.2 V 30 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
2'864Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2'500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 70 A 3.6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 48 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
1'697Auf Lager
2'500Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2'500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 75 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
500Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 176 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
478Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Datenblatt
1'464Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
Datenblatt
92Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5'000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Datenblatt
826Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.88 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 40V 90A I2PAK-3 OptiMOS-T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 118 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 5'000
Mult.: 5'000
: 5'000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel