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FF225R17ME7B11BPSA1

Name: Infineon FF225R17ME7B11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF225R17ME7B11BP
Price: 110.04 CHF
Availability: InStock

Mouser-Nr.:

726-FF225R17ME7B11BP

Herst.- Nr.:

FF225R17ME7B11BPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 1700 V, 225 A dual IGBT module

Datenblatt:

FF225R17ME7B11BPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	Dual
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.7 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.7 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	225 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	HU
Land der Verbreitung:	AT
Ursprungsland:	AT
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Montageart:	Screw Mount
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	FFXR17MX7P
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	EconoDUAL
Artikel # Aliases:	FF225R17ME7_B11 SP005548839

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Datenblatt

FF225R17ME7B11BPSA1 Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3-Econo-Leistungsmodule unterstützen Strombereiche von 100 A bis zu 600 A bei 600 V/650 V/1.200 V und 1.700 V. Das EconoDUAL 3 verfügt über eine ausgezeichnete mechanische Robustheit bzw. Leistungszyklenfestigkeit und die Option von PressFIT-Pins. Durch die Verfügbarkeit von TIM sind diese Leistungsmodule eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Antriebs-, CAV-, Windturbinen-, Solar- und Hybrid-Fahrzeug-Applikationen. EconoDUAL™ 3-Module sind in Dreistufen-, Halbbrücken-, H-Brücken und Chopper-Topologien für effiziente Wechselrichter-Designs verfügbar.

1700-V-Doppel-IGBT-Module

Die 1700-V-Dual-IGBT-Module von Infineon Technologies sind für industrielle Anwendungen gemäß den relevanten Tests nach IEC 60747, 60749 und 60068 qualifiziert. Die Module haben elektrische Eigenschaften wie V_CES = 1.700 V, IC nom bis zu 1.500 A/I_CRM = 1.800 A. Die Bauteile verfügen außerdem über einen integrierten Temperatursensor, eine hohe Stromdichte und eine niedrige V_CE.