EliteSiC Diskrete Halbleitermodule

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
onsemi Diskrete Halbleitermodule SIC A1HPM 1200 V
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5Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Modules Power Module SiC 3.8 V - 10 V, + 25 V Through Hole - 40 C + 175 C NVVR26A120M1WSS Tube
onsemi Diskrete Halbleitermodule APM16-CDA SF3 650V 51MOHM
Datenblatt
72Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET-SiC Diode Modules SiC FAM65CR51ADZ1 Tube
onsemi Diskrete Halbleitermodule 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Modules Half Bridge SiC 5.1 V - 10 V, + 22 V Press Fit PIM-36 - 40 C + 175 C NXH004P120M3F2PNG Tray
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Diskrete Halbleitermodule PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray