GCMS020B120S1-E1

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Mouser-Nr.:

148-GCMS020B120S1-E1

Herst.- Nr.:

GCMS020B120S1-E1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

Discrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227

Datenblatt:

GCMS020B120S1-E1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	MOSFET-SiC SBD Modules
Typ:	Silicon Carbide (SiC) Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	1.49 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 10 V
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	GCMS
Verpackung:	Tube
Marke:	SemiQ
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	25 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	113 A
Pd - Verlustleistung:	395 W
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	28 mOhms
Anstiegszeit:	8 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Discrete Semiconductor Modules
Transistorpolung:	N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V

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Datenblatt

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC MOSFET Power Modules

SemiQ SiC MOSFET Power Modules provide low on-state resistance at high temperatures with excellent switching performance, simplifying power electronic systems' thermal design. The SiC MOSFET Modules operate with zero switching loss to significantly increase efficiency and reducing heat dissipation, allowing smaller heatsinks.