AEC-Q200 Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini)
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7'483Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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8'075Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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7'007Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
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2'864Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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5'892Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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24'969Auf Lager
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SOT-323-3
Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323
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3'830Auf Lager
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SOT-323-3
Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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8'830Auf Lager
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SOT-323-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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6'250Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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5'658Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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8'420Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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5'962Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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1'254Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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4'629Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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7'757Auf Lager
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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4'730Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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5'810Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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5'942Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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15'709Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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2'716Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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15'827Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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2'700Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Datenblatt
5'432Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Datenblatt
9'793Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
Datenblatt
5'999Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3