ISSI Halbleiter

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Menge RoHS
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
: 1’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500