1066 Oszillatoren von MEMS

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS Verpackung/Gehäuse Frequenz Frequenzstabilität Ladekapazität Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Ausgabeformat Nennstrom Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Qualifikation Serie
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C 20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm 1'065Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 7.0 x 5.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

DFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator, Low Power 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 648
Mult.: 648

CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator, Low Power 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-4 66.666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -20C-70C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSCILLATOR LOW POWER Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 650
Mult.: 25

DFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators -40C - 105C 50 ppm 066.0000MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 660
Mult.: 660

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 66MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 1'000
: 1'000

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 440
Mult.: 440

VDFN-6 66.666 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator Low PWR LVCMOS -55C-125C Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

VDFN-6 66.666 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.6 V CMOS 31 mA - 55 C + 125 C DSC1121
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 3.2 x 2.5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators -40C - 105C 50 ppm 066.0000MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

CDFN-4 66 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 105 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS Oscillator, Low Power 50ppm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

DFN-4 66.666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 20 C + 70 C DSC1001
Microchip Technology MEMS Oscillators MEMS OSC, LVCMOS, 66.6666MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 5.0x3.2mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

CDFN-4 66.6666 MHz 50 PPM 40 pF 1.8 V 3.3 V CMOS 10.8 mA - 40 C + 85 C DSC1001
SiTime MEMS Oscillators -40 to 85C, 2520, 50ppm, 1.8V, 106.6MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

106.6 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B