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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

06.03.2025

- Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06.03.2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

04.30.2025

- Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.