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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET
09.09.2025
Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs
07.03.2025
Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs
07.03.2025
40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs
07.01.2025
Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs
06.30.2025
Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET
06.23.2025
Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V
06.23.2025
Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A
06.16.2025
Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs
06.09.2025
Verfügen über niedrige  RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06.09.2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
06.04.2025
Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs
06.03.2025
Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs
06.03.2025
Automobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06.03.2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
onsemi NXH015F120M3F1PTG Siliciumcarbid (SiC)-Modul
05.23.2025
Das Modul verfügt über eine 15 mΩ/1200V M3S SiC-MOSFET-Vollbrücke und einen Thermistor mit Al 2 O 3 DBC in einem F1-Gehäuse.
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)
05.22.2025
Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2
05.22.2025
Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05.15.2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05.15.2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
Wolfspeed YM Sixpack-Siliziumkarbid-Leistungsmodule
05.14.2025
Automotive-qualifizierte Module sind für eine nahtlose Designintegration und Langlebigkeit ausgelegt.
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET
05.13.2025
Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05.06.2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
Infineon Technologies 700 V CoolGaN™-G5-Leistungstransistoren
05.02.2025
Für den Betrieb bei hohen Frequenzen mit überlegenem Wirkungsgrad ausgelegt und ermöglicht ein extrem schnelles Schalten.
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs
04.30.2025
Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs
04.28.2025
Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.
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