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Micro Commercial Components (MCC) Neueste Diskrete Halbleiter

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Arten von diskreten Halbleitern

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Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Micro Commercial Components (MCC) 40V MCACLF320N04Y N-Channel Power MOSFET

02.12.2025

- High efficiency and reliable MOSFET designed for diverse high-power applications.

Micro Commercial Components (MCC) ZENER SMAF Diodes

02.12.2025

- Feature a compact design, high-temperature resilience, and a 6.2V to 100V wide voltage range.

Micro Commercial Components (MCC) 600V MSJL120N60FH MOSFET

02.12.2025

- Uses superjunction technology and a FRED body diode to facilitate high-speed switching and recovery.

Micro Commercial Components (MCC) Super-Low Capacitance Dual Line ESD Diodes

02.07.2025

- Ultra-low capacitance 3.3V and 5V ESD diodes with snapback technology and high-power TVS.

Micro Commercial Components (MCC) UG2xHL Super Fast Recovery Rectifiers

01.02.2025

- 2A, 200V to 600V rectifiers, designed to minimize energy losses in high-frequency applications.

Micro Commercial Components (MCC) ESDSBHCx Single Line ESD Diodes

12.30.2024

- 4.5V and 6.3V ESD diodes with bidirectional snapback design in a compact DFN1610-2 package.

Micro Commercial Components (MCC) MCWx 600V N-Channel Power MOSFETs

12.30.2024

- Three advanced 600V components, engineered for low losses, fast switching, and high efficiency.

Micro Commercial Components (MCC) MIS80N120NT1YHE3 1.200-V-Trench-Field-Stop-IGBT

11.28.2024

- Made for efficiency with low saturated VCE and minimal switching losses.

Micro Commercial Components (MCC) MCTL2D0N10YHR 100 V n-Kanal-MOSFET

11.25.2024

- Wide SOA and low RDS(on) efficient and reliable solution for linear mode operation.

Micro Commercial Components (MCC) 5000W TVS Diodes

11.22.2024

- Designed to provide superior protection against transient voltage spikes.

Micro Commercial Components (MCC) ESD-Dioden mit sehr niedriger Kapazität

11.15.2024

- Feature 2.9V clamping voltage and 0.2pF ultra-low capacitance for shielding devices from ESD.

Micro Commercial Components (MCC) 150W TVS Diodes

11.04.2024

- Protects from overvoltage in a low-profile package with an 8.5V to 90V range.

Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs

10.04.2024

- Verfügen über einen niedrigen On-Widerstand, einen geringen Leitungsverlust und ein sanftes Schalten mit schneller Sperrverzögerungsdiode.

Micro Commercial Components (MCC) MCU1K4N95SH n-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

10.03.2024

- Verfügt über eine niedrige Gate-Drain-Ladung, reduziert Leitungsverluste und verstärkt den Gesamtwirkungsgrad.

Micro Commercial Components (MCC) ESDULCx Automotive-ESD-Schutzbauteile

09.27.2024

- Für eine einzelne Daten- oder Stromleitung ausgelegt und bietet eine außergewöhnliche Leistung für moderne Applikationen.

Micro Commercial Components (MCC) SM6S24AHE3 TVS Diode

09.18.2024

- Für einen unablässigen Überspannungsschutz in einem kompakten DO-218AB-2-Gehäuse ausgelegt.

Micro Commercial Components (MCC) MCGL2D1N03YL n-Kanal-MOSFET

09.04.2024

- 30-V-Leistungs-MOSFET, der für eine gute thermische Leistungsfähigkeit mit geringen Leistungsverlusten ausgelegt ist.

Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETs

09.03.2024

- Verstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen.

Micro Commercial Components (MCC) SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

09.03.2024

- 650 V SiC-MOSFETs mit Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit und sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar.

Micro Commercial Components (MCC) 600 V n-Kanal-MOSFETs

09.03.2024

- Die Super-Junction-Technologie (SJ) verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine integrierte schnelle Freilaufdiode.

Micro Commercial Components (MCC) MCP2D6N10Y 100-V-n-Kanal-MOSFET

08.28.2024

- 100-V-n-Kanal-MOSFET, der für Hochleistungsschaltungen ausgelegt ist.

Micro Commercial Components (MCC) 3,3-V-ESD-Dioden

08.27.2024

- Schützen bis zu acht Hochgeschwindigkeits-I/O-Leitungen mit vielseitigen SMD-Gehäusen.

Micro Commercial Components (MCC) MCG50P03B 30 V p-Kanal-MOSFET

08.19.2024

- Für platzbeschränkte Applikationen, die eine zuverlässige Leistung erfordern, ausgelegt.

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Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

Bourns SMF4C & SMF4C-Q TVS-Dioden

07.03.2025

- Schützt vor Spannungstransienten, die durch das Schalten induktiver Lasten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten verursacht werden.

Nexperia GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

07.03.2025

- 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100 V GaN-FETs

07.03.2025

- Normalerweise ausgeschaltete E-Modus-Bauteile, die eine überragendes Betriebsverhalten und einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand bieten.

Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD- und EOS-Schutz

07.03.2025

- ESD- und EOS-Schutz wurden speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Ethernet-Leitungen entwickelt.

ROHM Semiconductor Spezialdioden mit sehr schneller Erholungszeit

07.02.2025

- Sie zeichnen sich durch eine niedrige Durchlassspannung und einen geringen Schaltverlust aus und eignen sich ideal für allgemeine Gleichrichteranwendungen.

Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

07.01.2025

- Diese FETs sind in den Gehäusen TOLT TO247 und TOLL erhältlich und nutzen die Plattform Gen IV Plus SuperGaN®.

ROHM Semiconductor Hoher Wirkungsgrad SCHOTTKY Barrieredioden

07.01.2025

- Diese Dioden sind für den Kompromiss zwischen niedrigem VF und niedrigem IR konzipiert und werden in Freilaufdioden eingesetzt.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

ROHM Semiconductor Schottky-Barrieredioden mit extrem niedrigem IR

06.30.2025

- Verfügen über eine Spitzensperrspannung von 200 V, sind hochzuverlässig und haben einen äußerst geringen Rückstrom.

Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions

06.30.2025

- Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.

Semtech uClamp5591P μClamp® TVS-Diode

06.27.2025

- Umfasst große Querschnittsflächenverbindungen zur Leitung hoher transienter Ströme.

Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD-Schutzdiode

06.27.2025

- Entwickelt, um sowohl die ESD-Spitzenklemmung als auch TLP-Klemmspannung zu minimieren.

onsemi NFAM Intelligente Leistungsmodule (IPM)

06.23.2025

- Hochintegrierte, kompakte Lösungen für eine effiziente und zuverlässige Motorsteuerung.

Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 V

06.23.2025

- Hochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

Littelfuse DFNAK3 TVS-Dioden

06.23.2025

- Bietet 3 kA Stromstoß und Einhaltung von IEC 61000-4-5 in einem kompakten Oberflächenmontagegehäuse.

ROHM Semiconductor RBx8 Schottky-Barriere-Dioden

06.18.2025

- Verfügen über eine hohe Zuverlässigkeit, einen niedrigen IR, eine epitaktische planare Siliziumstruktur und bis zu 1 A IO.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

Littelfuse SC1230-01UTG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Littelfuse SC1122-01ETG TVS Diode

06.04.2025

- 22 V, 60 pF, 9 A, unidirektionale diskrete TVS-Diode, die einen Universal-ESD-Schutz bietet.

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

06.03.2025

- Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.

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