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Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05.15.2025
05.15.2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05.15.2025
05.15.2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Mini-Circuits TAV1 Transistors
12.01.2023
12.01.2023
Designed with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.
CEL Low Noise FETs & ICs
07.09.2023
07.09.2023
Deliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.
Nexperia SOT323 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
07.26.2022
Oberflächenmontierbares Kunststoffgehäuse mit 3 Anschlüssen, 1,3 mm Raster, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm Gehäuse.
Nexperia SOT23 oberflächenmontierbare Gehäuseprodukte
07.26.2022
07.26.2022
In einem oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit drei Anschlüssen enthalten: 1,9 mm Raster, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.
Qorvo QPD2160D 1.600 µm diskreter GaAs-pHEMT
04.19.2022
04.19.2022
Bietet 32,5 dBm Ausgangsleistung bei P1 dB, 10,4 dB Verstärkung und 63 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.
Qorvo QPD2120D 1200 µm Diskreter GaAs pHEMT
04.19.2022
04.19.2022
Bietet eine Ausgangsleistung von 31 dBm bei P1 dB, 11,5 dB Verstärkung und 57 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.
Qorvo QPD2060D 600 µm Diskreter GaAs pHEMT
04.19.2022
04.19.2022
Bietet eine Ausgangsleistung von 28 dBm bei 1 dB, eine gain von 12 dB und einen leistungsverstärkenden Wirkungsgrad von 55 % bei 1 dB.
Qorvo QPD2080D 800 µm diskreter GaAs-pHEMT
04.19.2022
04.19.2022
Bietet 29,5 dBm Ausgangsleistung bei P1 dB, 11,5 dB Verstärkung und 56 % Leistungszusatz-Wirkungsgrad bei 1 dB.
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