.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Neueste MOSFETs

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Angewendete Filter:

Nichts ausgewählt Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

PANJIT PSMB033N10NS2 100V N-Channel MOSFET

09.04.2024

- Features a high switching speed and low reverse transfer capacitance.

PANJIT 60/100/150V Automotive-Grade MOSFETs

09.03.2024

- Family of 60V, 100V, and 150V AEC-Q101 qualified MOSFETs.

PANJIT 150V N-Channel Automotive MOSFETs

08.29.2024

- Optimized to have excellent FOM and AEC-Q101 qualified with standard-level gate drive.

PANJIT 150V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

08.29.2024

- Features a high switching speed and operates from 4A to 125A continuous drain current.

PANJIT PJQx43 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Reliable and rugged MOSFETs with ±25V gate-source voltage and -55°C to 150°C operating temperature.

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

06.20.2024

- Designed with logic level gate drive and are ideal for automotive applications.

PANJIT PJDx0P03E-AU P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

10.16.2023

- Feature a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 3W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT PJQ5839E-AU Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

10.16.2023

- Features a -30V drain-source voltage, ±25V gate-source voltage, and 30W power dissipation @TC=25°C.

PANJIT 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

08.15.2023

- Feature low RDS(ON) and high switching speed.

PANJIT 40V Enhancement Mode MOSFETs

06.06.2023

- Low-voltage MOSFETs with an on-resistance of under 1Ω.

PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

05.30.2023

- Offers a low reverse transfer capacitance in an AEC-Q101-qualified, DFN5060-8L package.

PANJIT PSMxN08NS1 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

11.16.2022

- Utilize Trench technology to improve the product characteristics.

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

07.08.2022

- Features advanced Trench Process technology and optimized for use as relay drivers and line drivers.

Ansicht: 1 - 15 von 15

Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06.03.2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

06.03.2025

- Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

04.30.2025

- Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 154 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 469 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.

Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs

04.16.2025

- Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.

Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs

04.14.2025

- 60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETs

04.11.2025

- Verfügen über einen branchenführenden niedrigen RDS(on), eine verbesserte Schaltleistung und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten.

Renesas Electronics REXFET-1 Leistungs-MOSFETs von 100 V und 150 V

03.21.2025

- Nutzt die Split-Gate-Technologie mit Anschlüssen mit benetzbaren Flanken und ist ideal für Hochstromapplikationen.

onsemi Maschinelles Sehen

03.18.2025

- Eine breite Palette von Bildsensorlösungen, von VGA bis 45MP, für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung.

IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET

03.17.2025

- 650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.

Ansicht: 1 - 25 von 240

Neueste MOSFETs

Filtern nach:

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support

Neueste MOSFETs

Panjit