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onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 469 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 154 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

onsemi Maschinelles Sehen

03.18.2025

- Eine breite Palette von Bildsensorlösungen, von VGA bis 45MP, für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung.

onsemi NTTFD1D8N02P1E n-Kanal-MOSFET

03.05.2025

- Asymmetrisches Dual-Bauteil, das in einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm für ein kompaktes Design angeboten wird.

onsemi NTMFSS0D9N03P8 n-Kanal-MOSFET

02.14.2025

- n-Einkanal-Stromquelle-Bauteil von 30 V mit niedrigem Drain-Widerstand und Gate-Ladung.

onsemi NTMFS003P03P8Z P-Kanal MOSFET

02.12.2025

- Feature -30 V, einzelner MOSFET in 5 mm x 6 mm für Platzersparnis und hervorragende Wärmeleitung.

onsemi NCV8406DD Dual-Low-Side-Treiber mit Selbstschutz

11.07.2024

- Ein doppelt geschütztes, diskretes Low-Side-Bauteil mit Temperatur- und Strombegrenzung.

onsemi PowerTrench Technologie

06.18.2024

- Repräsentiert die Weiterentwicklung der PowerTrench Technologie, insbesondere von T6 bis T10.

onsemi NVMFS4C306N Leistungs-MOSFETs

05.10.2024

- Automotive-Leistungs-MOSFET in einem Flat-Lead-SO8-FL-Gehäuse von 5 mm x 6 mm für kompakte und effiziente Designs.

onsemi NTMFS3D0N08X n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

05.02.2024

- Ideal für Cloud-Leistung, 5G-Telekommunikation, andere PSU-Applikationen, DC/DC- und Industrieapplikationen.

onsemi NTMFS0D7N04XM n-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.23.2024

- Standard-Gate-Level-Leistungs-MOSFET von 40 V mit führendem On-Widerstand für Motortreiber-Applikationen.

onsemi NVMYS3D8N04CL Leistungs-MOSFET

03.11.2024

- n-Einkanal-MOSFET in einem LPAK-Gehäuse von 5 mm x 6 mm, der für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist.

onsemi NTMFS005P03P8Z p-Einkanal-Leistungs-MOSFET

03.05.2024

- Liefert eine Drain-Source-Spannung von -30 V, einen On-Widerstand von 2,7 mΩ bei 10 V und einen Drain-/Standby-Strom von 164 A.

onsemi NVMFS5C604N Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

03.01.2024

- Verfügt über einen Dauersenkenstrom von 288 A, einen RDS(ON) von 1,2 mΩ bei 10 V und eine Drain-Source-Spannung von 60 V.

onsemi Wärmepumpen

03.01.2024

- Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung.

onsemi NVMFWS002N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

03.01.2024

- Verfügen über einen Dauersenkenstrom von 177 A, 2,8 mΩ bei 10 V RDS(ON) und eine Drain-to-Source-Spannung von 100 V.

onsemi NVTYS014N08HL Leistungs-MOSFET

02.28.2024

- n-Einkanal-MOSFET von 80 V, 13,9 mΩ und 40 A mit einem kompakten und effizienten Design.

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Filtern nach:

Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFET

09.09.2025

- Logik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.

ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

06.30.2025

- Mit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFET

06.23.2025

- Bietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.

ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 A

06.16.2025

- Verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.

onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETs

06.09.2025

- Verfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.

PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs

06.09.2025

- These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).

ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFET

06.04.2025

- Kompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.

Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs

06.03.2025

- Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETs

06.03.2025

- Gemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.

onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFET

05.13.2025

- Für die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETs

04.30.2025

- Bieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).

onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET

04.28.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETs

04.28.2025

- Ein niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET

04.28.2025

- Verfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs

04.21.2025

- Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.

onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET

04.17.2025

- Bietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.

onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET

04.17.2025

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.

onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 154 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.

onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET

04.17.2025

- 40 V, 469 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.