Infineon SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Infineon Technologies SRAM 72Mb 1.8V 4M x 18 250Mhz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000
Nein
72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 680
Mult.: 680
Nein
72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
72 Mbit 4 M x 18 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 650 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 680
Mult.: 680
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 300MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 680
Mult.: 680
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 300MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 300 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 790 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 250MHz DDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 272
Mult.: 272
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 530 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 1.8V 2M x 36 250Mhz DDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 250 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 530 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136
Nein
72 Mbit 4 M x 18 450 ps 400 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 710 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 1.8v 450MHz QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136
Nein
72 Mbit 2 M x 36 450 ps 450 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.1 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 750

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 2M x 36 200Mhz Pipeline SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000
Nein
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
Infineon Technologies CY7C1059H30-10ZSXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 675
Mult.: 675

Tray
Infineon Technologies CY7C1059H30-10ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000
Rolle: 1’000

Reel
Infineon Technologies CY62157GE30-45BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
Rolle: 2’000

Reel
Infineon Technologies CY62158GE30-45BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
Rolle: 2’000

Reel
Infineon Technologies CY7C1051H30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
Rolle: 2’000

Reel
Infineon Technologies CY7C1441KVE33-133AXI
Infineon Technologies SRAM SYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray
Infineon Technologies CY7C2642KV18-333BZXC
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.8V, 333Mhz QDR II+ SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 333 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 970 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies CY7C2663KV18-550BZXI
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.8V, 550Mhz (8Mx18) QDR II SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

144 Mbit 8 M x 18 450 ps 550 MHz Parallel 1.9 V 1.7 V 1.09 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies CY7C4122KV13-106FCXC
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.3V, 106Mhz 8Mx18 QDR-IV HP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

144 Mbit 8 M x 18 75 ps 1.066 GHz Parallel 1.34 V 1.26 V 4.1 A 0 C + 70 C SMD/SMT FCBGA-361 Tray
Infineon Technologies CY7C4142KV13-106FCXC
Infineon Technologies SRAM 144Mb, 1.3V, 106Mhz 4Mx36 QDR-IV HP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

144 Mbit 4 M x 36 75 ps 1.066 GHz Parallel 1.34 V 1.26 V 4.5 A 0 C + 70 C SMD/SMT FCBGA-361 Tray
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXI
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY62157G30-45ZXA
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Tray