ISSI SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
ISSI SRAM 36Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS, ODT Option 1 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

36 Mbit 1 M x 36 2.5 ns 400 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 620 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165
ISSI SRAM 72Mb, QUADP (Burst of 2), Sync SRAM, 2M x 36, 2.0 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 333 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (15x17 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 2M x 36, 2.5 Read Latency, 165 Ball FBGA (13x15 mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 8.4 ns 500 MHz Parallel 1.89 V 1.71 V 1.2 A - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Flowthrough,Sync,2Mb x 36, 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 2 M x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18M (512Kx36) 7.5ns Sync SRAM 2.5v Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,7.5ns,2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 36,200Mhz,2.5v - I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

18 Mbit 512 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 475 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 36Mb,Pipeline,Sync,1Mb x 36,250Mhz,2.5v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

36 Mbit 1 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA(15x17mm),RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,165 Ball BGA,RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,250MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 2 M x 36 2.8 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 72Mb,Pipeline,Sync,2Mb x 36,200MHz,2.5V I/O,100 Pin TQFP,RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

72 Mbit 2 M x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray