ISSI SRAM

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

4 Mbit 256 k x 16 35 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,35ns, 3.3v +/-5%,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

4 Mbit 256 k x 16 35 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v, 2 CS, 48 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8mm), ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,45ns,2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, ECC, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000
8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray

ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 16,1.65v 2.2v,48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 96
Mult.: 96

16 Mbit 35 ns 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 25ns Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

16 Mbit 1 M x 16 25 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async,1M x 16,55ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 55 ns 3.6 V 2.2 V 12 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Tray
ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb, Low Power/Power Saver,Async, 1Mb x 16/2Mb x 8, 55ns, 1.65v 2.2v, 48 Pin TSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

16 Mbit 1 M x 16 55 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48

ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,1Mb x 8, 45ns, 2.2v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44

ISSI SRAM 2Mb 128K x 16 45ns Async SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Tray

ISSI SRAM 2Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 16,45ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin SOP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Tube
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin SOP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'000
Mult.: 1'000
: 1'000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel
ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v 3.6v,32 Pin TSOP I (8x20mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 26 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel