ISSI DRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 32M, 3.3V, Mobile SDRAM, 2Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500
SDRAM Mobile 32 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 2 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16200D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS42VM16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 32Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM16320D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM Mobile 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32160D Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 333Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - DDR2 256 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 16 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16160B Reel
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 1 Gbit 8 bit 333 MHz BGA-60 128 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR81280C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 242

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400C Reel
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 50 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 2’500
Mult.: 2’500
: 2’500

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 38 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 2’000
Mult.: 2’000
: 2’000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel