ISSI DRAM

Ergebnisse: 1'825
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 105 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 171
Mult.: 171

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'000
Mult.: 2'000
: 2'000

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-134 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM - LPDDR2 4 Gbit 32 bit 400 MHz BGA-168 128 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
: 3'000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3'000
Mult.: 3'000
: 3'000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1'500

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP-II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1'500
Mult.: 1'500
: 1'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
: 2'500

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Reel