726-IAUCN04S7N040HAT MOSFETs

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
864Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5'000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Datenblatt
1'582Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5'000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape