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F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Name: Infineon F3L200R07W2S5FB11BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-F3L20R07W2S5FB11
Price: 90.92 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-F3L20R07W2S5FB11

Herst.- Nr.:

F3L200R07W2S5FB11BOMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module 650 V, 200 A 3-level IGBT module

Datenblatt:

F3L200R07W2S5FB11BOMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	SiC IGBT Modules
Konfiguration:	3-Phase Inverter
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.17 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	200 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT5
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	EasyPACK
Artikel # Aliases:	F3L200R07W2S5F_B11 SP003597026

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

EasyPACK™ 2B-IGBT-Leistungsmodule

Infineon Technologies EasyPACK™ 2 B IGBT Leistungsmodule sind eine skalierbare Leistungsmodullösung mit einem flexiblen Raster-Stiftsystem, das sich perfekt für die Anpassung des Layouts und Pinbelegung eignet. Die Gehäuse verfügen nicht über eine Grundplatte, was den Einsatz in verschiedenen Applikationen ermöglicht. In PIM- oder Six-Pack-Konfigurationen decken die Infineon EasyPACK 2 B IGBT- Leistungsmodule den gesamten LeistungsBereich von 20 A bis 200 A bei 600V/650V/1200V ab. Diese Module haben außerdem einen Verlustleistungsbereich von 20 mW bis 600 W und arbeiten von -40°C bis +150°C oder +175°C.

F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT-Module verfügen über eine erhöhte Sperrspannungsbelastbarkeit von 650 V und verwenden eine CoolSiC™ Schottky-Diode (gen5). Diese Bauteile basieren auf der TRENCHSTOP™-IGBT5- und PressFIT-Kontakttechnologie. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module bieten stark reduzierte Schaltverluste und ein Al₂O₃ -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand. Diese Module verfügen über ein kompaktes Design, das eine robuste Montage durch integrierte Montageklemmen und vorinstalliertes thermisches Schnittstellenmaterial umfasst. Die F3L200R07W2S5FP IGBT-Module eignen sich hervorragend für Motorantriebe, Solarapplikationen, Dreistufen-Applikationen und USV-Systeme.

Zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren

Die zuverlässige und effiziente Stromversorgung für Rechenzentren von Infineon Technologies umfasst skalierbare Lösungen mit Nennleistungen von ca. 5 kW bis 50/60 kW. Diese Infineon Lösung eignet sich hervorragend für unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), die eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz erfordern. Die Module nutzen verschiedene Chip-Technologien, einschließlich Si-IGBT, CoolSiC™ Hybrid und CoolSiC MOSFET, um verschiedene Anforderungen an Kosteneffizienz und Leistungsfähigkeit zu erfüllen. Das Portfolio von Infineon ist für alle Systemebenen einer USV mit verschiedenen Spannungsklassen ausgelegt und so eingestellt, dass es Angebote erweitert, um niedrigere Nennleistungsklassen einzubeziehen.

DC-EV-Ladelösungen

Die DC-EV-Ladelösungen von Infineon sind ein Portfolio von Halbleitern mit hohem Wirkungsgrad, die der steigenden Nachfrage nach schnelleren Batterieladesystemen in Elektrofahrzeugen (EV) gerecht werden. Aufgrund ihrer schnelleren Ladezeiten sind DC-Ladestationen derzeit die attraktivere Lösung als herkömmliche AC-EV-Ladestationen. Mit einer 120-kW-DC-Ladesäule kann nahezu 80 % einer Batterie in 30 Minuten geladen werden. Mit der Weiterentwicklung von Schnellladetechnologien wird sich die Ladezeit noch weiter verkürzen. Die Entwicklung einer erfolgreichen DC-EV-Versorgung kann jedoch eine schwierige Aufgabe sein. Die Designs müssen zur Verkürzung der Ladezeiten eine verbesserte Ausgangsleistung bieten, die Leistungsdichte innerhalb einer Gruppe von Ladestationen erhöhen, den Wirkungsgrad durch Erhöhung der Lasten verbessern und die Verlustleistung verringern. Infineon ist in der Lage, EV-Ladelösungen zu bieten, die Kilowatt- bis Megawatt-Leistungsbereiche abdecken und Hochspannungs-MOSFETs, SIC-Dioden, Mikrocontroller, AC/DC-Leistungsumwandlung und Gatetreiber-ICs umfassen.