SCTWA70N120G2V-4
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Siehe Produktspezifikationen
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511-SCTWA70N120G2V-4
SCTWA70N120G2V-4
Herst.:
Beschreibung:
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package
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Preis (CHF)
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|---|---|---|
| CHF 26.14 | CHF 26.14 | |
| CHF 19.17 | CHF 191.70 |
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