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VS-FC420SA15

Name: Vishay VS-FC420SA15
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-FC420SA15
Price: 24.58 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-FC420SA15

Herst.- Nr.:

VS-FC420SA15

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET-Module 150V, 1.93mOhm, 400A SOT-227 Pwr Mod

Datenblatt:

VS-FC420SA15 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	400 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	909 W
Verpackung:	Tube
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	142 ns
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	285 ns
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	ThunderFET
Typ:	MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	120 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	139 ns
Vf - Durchlassspannung:	950 mV
Vr - Sperrspannung:	150 V
Gewicht pro Stück:	30 g

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Hochspannungs-MOSFET-Module

Hochspannungs-MOSFET-Module von Vishay sind Leistungsmodule in einem für alle kommerziellen/industriellen Applikationen generell bevorzugten SOT-227-Gehäuse. Diese MOSFET-Module umfassen Einzelschalter-Leistungs-MOSFETs, die über ThunderFET^® und TrenchFET^®-Technologien verfügen und niedrigere Schalt- und Leitungsverluste bieten. Die Hochspannungs-MOSFET-Module umfassen außerdem Leistungs-MOSFETs, die ein vollständig isoliertes Gehäuse, einen niedrigen On-Widerstand und eine niedrige Drain-zu-Gehäuse-Kapazität bieten. Diese Leistungs-MOSFETs bieten die beste Kombination von hohen Schaltgeschwindigkeiten, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz in einem robusten Gehäusedesign.